[18p-C212-1~6] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [18p-C212-5] 炭化水素分子イオン注入領域における銅ゲッタリングに対する3次元アトムプローブを用いた酸素の影響解析

〇重松 理史¹、奥山 亮輔¹、廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、門野 武¹、小林 弘治¹、鈴木 陽洋¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：ゲッタリング、イオン注入、3次元アトムプローブ

炭化水素分子イオン注入領域では，注入した炭素原子が集合体を形成しこれが重金属および酸素のゲッタリングシンクとして機能する．我々は，それぞれの炭素原子集合体がゲッタリングした酸素が銅のゲッタリングに与える影響を3次元アトムプローブを用いて解析した．その結果，炭素原子集合体の銅ゲッタリング能力は(酸素原子数)/(炭素原子数)に影響されることが明らかとなった．