2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.1 バルク結晶成長

[18p-E207-1~11] 15.1 バルク結晶成長

2019年9月18日(水) 13:15 〜 17:15 E207 (E207)

横田 有為(東北大)、佐藤 浩樹(東北大)

16:00 〜 16:15

[18p-E207-7] CZ法ScAlMgO4(SCAM)結晶のX線トポグラフ観察と光学特性評価

藤井 高志1,2、福田 承生1、荒木 努2、杉山 和正3、石地 耕太朗4、杉江 隆一5 (1.福田結晶研、2.立命館大、3.東北大学金研、4.SAGA-LS、5.東レリサーチセンター)

キーワード:ScAlMgO4、無転位、窒化ガリウム

GaNエピタキシャル成長用基板として注目を集めているScAlMgO4単結晶の反射X線トポグラフ観察と光学特性を評価した。結晶はCZ法で育成し、そこから直径40㎜のc面ウエハを切り出した。X線トポ観察では、広い範囲で転位の存在は認められず、SCAM単結晶はSiと同様に無転位結晶であることが分かった。さらに光学特性評価についても実施した。