2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.1 バルク結晶成長

[18p-E207-1~11] 15.1 バルク結晶成長

2019年9月18日(水) 13:15 〜 17:15 E207 (E207)

横田 有為(東北大)、佐藤 浩樹(東北大)

16:30 〜 16:45

[18p-E207-9] 高濃度のホウ素・窒素が添加された蛍光SiCにおける光学特性

田中 大稀1、Lu Weifang1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、赤﨑 勇1,2 (1.名城大理工、2.赤﨑記念研究センター)

キーワード:SiC、光学特性、近接昇華法

ホウ素、窒素をコドーピングした6H-SiCはDAP発光によって約570nmをピークとするブロードな蛍光スペクトルが得られる。これは蛍光SiCと呼ばれ、ポーラス構造を持ったポーラス蛍光SiCと組み合わせることによって高演色白色LEDの作製が可能となる。本研究では高発光効率化に不可欠なホウ素、窒素を高濃度でドーピングした蛍光SiCについてIQEなどの発光特性を調査した。