[18p-E214-1~13] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[18p-E214-3] Si 基板上 BaSi2 薄膜の低熱伝導率とその熱輸送機構

〇石部 貴史¹、谷内 卓²、山下 雄大²、佐藤 拓磨²、末益 崇²、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.筑波大院)

キーワード：熱伝導率、シリサイド、薄膜

IoT, IoHセンサ用電源として、自立発電可能な熱電発電に期待が集まっている。また、センサが実装されるSiプラットフォームとの整合性、小型の点で、Si基板上薄膜熱電材料は最適と言える。我々は、複雑結晶構造由来の極小熱伝導率を示すことで知られるBaSi₂に注目した。今回、Si基板上BaSi₂薄膜の熱伝導率に注目して熱電性能を評価し、さらに熱輸送機構を明らかにするために熱伝導率について、第一原理計算を用いた理論検討を行った。