2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」 » 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[18p-E214-1~13] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2019年9月18日(水) 13:15 〜 17:00 E214 (E214)

中村 芳明(阪大)、塩見 淳一郎(東大)、馬場 寿夫(JST)

14:45 〜 15:00

[18p-E214-6] Unileg横型Siナノワイヤ熱電変換デバイスの多段直列化による電圧上昇

〇(P)富田 基裕1、武澤 宏樹1、目崎 航平1、松川 貴2、松木 武雄1,2、渡邉 孝信1 (1.早大理工、2.産総研)

キーワード:半導体、シリコンナノワイヤ、熱電変換

我々は、SOIウェハ上にSiNWを空中架橋せず直接置いた熱電発電素子(TEG)を考案し、このTEGを直並列することで昇圧回路を起動させる数十nW, 140mVを実現可能だと考えている。本研究では単純に直列接続するだけで多段TEGから所望の電圧を得ることができるのか実験と計算によって評価した。TEG間配線のリーク熱流によるロスはあるが、集積化にはメリットがあり、昇圧回路も起動可能だとわかった。