[18p-E214-1~13] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[18p-E214-8] Siナノピラー間隔変化による熱伝導率・電気伝導率の独立制御

〇(PC)大堀 大介¹、久保山 瑛哲⁴、村田 正行³、山本 淳³、野村 政宏⁵、遠藤 和彦^1,3、寒川 誠二^1,2,3 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.産総研、4.東理大、5.東大生研)

キーワード：Siナノピラー構造、バイオテンプレート、中性粒子ビームエッチング

AI・IoT社会の実現を目指し、IoTセンサ用自立電源において低環境負荷なSiを用いた熱電変換素子が注目されている。Si薄膜における熱電変換素子では、Siにナノ構造を形成することで、絶対性能指数(ZT)の向上が図られている。本研究では、間隔を制御した無欠陥Siナノピラー構造にSi_0.7Ge_0.3を埋め込んだ複合材料における熱伝導率異方性とキャリア輸送特性に与える影響を検討した。