[18p-E216-1~10] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

△ [18p-E216-10] pドープInGaAs量子ドットへの電子スピン注入の電界制御

〇朴 昭暎¹、陳 杭¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：量子ドット、電界、スピン注入

pドーピングによりQDへ正孔を供給することでQDの電子スピン偏極度が増加することに着目し,QWとトンネル結合したpドープInGaAs QDを用いた電界印加型素子を作製してQWからQDへの電子スピン注入におけるスピン特性とその偏極度の電界制御について研究した.