[18p-E302-1~16] 12.2 評価・基礎物性

[18p-E302-6] 金属/有機半導体界面電子準位接続に対する金属表面の遮蔽効果

〇(M1)相原 巧実¹、植村 悠紀¹、Abd Rahman Syed¹、高橋 勁巳¹、吉田 弘幸^1,2 (1.千葉大院工、2.千葉大分子キ)

キーワード：金属の遮蔽効果、逆光電子分光、金属/有機界面

金属表面近傍の有機半導体中の電荷は、金属表面の遮蔽効果の影響をうけるはずであるが、定量的に信頼できる実験データがなく、ほとんど議論されてこなかった。
本研究では、Ag(111)、Au(111)上のPTCDAに紫外光電子分光法(UPS)と低エネルギー逆光電子分光法(LEIPS)を適用し、膜厚を増やしながらHOMO、LUMOの変化を調べ、金属表面の遮蔽効果を調べた。
その結果、遮蔽効果の影響は、表面第一層で0.25eVにもなり、界面電子準位接続に大きな影響を与えることが分かった。