[18p-E302-1~16] 12.2 Characterization and Materials Physics

[18p-E302-9] Observation of gap states in thin films exposed to oxygen by high-sensitivity ultraviolet photoelectron spectroscopy

〇Shunsuke Kimata¹, Kouhei Shimizu¹, Atsushi Matuzaki¹, Taichi Maruyama¹, Toshio Nishi², Shigetaka Tomiya², Yuuya Tanaka^1,3, Hisao Ishii^1,3,4 (1.GSSE,Chiba Univ., 2.SONY, 3.CFS,Chiba Univ., 4.MCRC, Chiba Univ.)

Keywords:high sensitivity ultraviolet photoelectron spectroscopy, fullerene

有機半導体の酸素によって生じるギャップ準位の状態密度(DOS)やエネルギー位置の分布は電気特性を論じるうえで重要であるが、十分には理解されていない。本研究では高感度光電子分光を用いて、C₆₀薄膜およびその酸素暴露膜のギャップ準位の密度の評価を試みた。HOMOに由来するガウス関数の半値幅が酸素導入により、0.64→0.78→0.88eVと広がり、1.5 eVより浅い領域には指数関数（D(E)∝exp(E/E₀)）で減衰するバンドテール構造が観測された。