[18p-E302-1~16] 12.2 評価・基礎物性

[18p-E302-9] 高感度紫外光電子分光による酸素暴露した薄膜のギャップ内準位の観測

〇木全 俊輔¹、清水 康平¹、松崎 厚志¹、丸山 太一¹、西 寿朗²、冨谷 茂隆²、田中 有弥^1,3、石井 久夫^1,3,4 (1.千葉大融合理工、2.ソニー、3.千葉大先進、4.千葉大MCRC)

キーワード：高感度紫外光電子分光法、フラーレン

有機半導体の酸素によって生じるギャップ準位の状態密度(DOS)やエネルギー位置の分布は電気特性を論じるうえで重要であるが、十分には理解されていない。本研究では高感度光電子分光を用いて、C₆₀薄膜およびその酸素暴露膜のギャップ準位の密度の評価を試みた。HOMOに由来するガウス関数の半値幅が酸素導入により、0.64→0.78→0.88eVと広がり、1.5 eVより浅い領域には指数関数（D(E)∝exp(E/E₀)）で減衰するバンドテール構造が観測された。