[18p-E303-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-E303-10] MOSFETにおけるフォノン熱輸送のボルツマン方程式に基づくTCADシミュレーション

〇服部 淳一¹、池上 努¹、福田 浩一¹ (1.産総研)

キーワード：熱輸送、フォノン、TCAD