[18p-E304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [18p-E304-1] アルミナゾル塗布法による低温ポリシリコン膜中へのKrFエキシマレーザードーピング

〇(B)倉重 貴行¹、妹川 要^1,2、諏訪 輝¹、中村 大輔¹、後藤 哲也³、池上 浩^1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門、3.東北大未来研)

キーワード：低温ポリシリコン、薄膜トランジスタ

TFTのチャネル材料としてLTPS薄膜が用いられている。結晶性の良いp-Si膜形成のためには真空・高温プロセスを要しLTPSを用いたフレキシブルディスプレイ製造との低い整合性が問題となっている。今回、真空不要な低温ドーピング方式として溶液塗布したLTPS薄膜へのレーザー照射によるドーピングを試み、電気特性を報告する。作成したp及びnチャネルTFTでのCMOS回路の形成と動作特性についても報告する。