[18p-E304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-E304-10] WSi_n挿入層を用いたCo/n-Si接合の低いショットキー障壁と高い熱的安定性

〇岡田 直也¹、内田 紀行¹、小川 真一¹、金山 敏彦¹ (1.産総研)

キーワード：コンタクト、ショットキ―、シリサイド

最先端CMOSではCoが次世代電極材料として期待されている。アモルファスWSi_n膜をSiとCo電極の接触界面に挿入することで、フェルミレベルピンニングを緩和でき、電子障壁高さを0.43 eVまで低減できる。さらに、Coに対するWSi_nの優れた拡散バリア特性により、SBH低減効果は600 ˚Cの熱処理後も維持される。従って、WSi_nはCoコンタクト用のシングル挿入層としてnFETのS/Dへの適用が期待される。