[18p-E304-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[18p-E304-3] Diffusion control of n-type dopants in Ge with high activation using co-implantation and flash lamp annealing

〇Hideaki Tanimura¹, Hikaru Kawarazaki¹, Takayuki Aoyama¹, Shinichi Kato¹, Yoshihide Nozaki¹, Ryota Wada², Takahiro Higuchi², Tsutomu Nagayama², Takashi Kuroi² (1.SCREEN Semiconductor Solutions, 2.NISSIN ION EQUIPMENT)

Keywords:Flash Lamp Annealing (FLA), Ge, High activation

近年、ゲルマニウム(Ge)を基材としたデバイスの研究が盛んに行われている。課題としては、(i) n型不純物の拡散係数が大きく、拡散制御(抑制)が困難であること、(ii) 活性化率が低いこと、等が挙げられる。本報告では、フッ素(F)を共注入した試料に対しFLA処理することで、不純物の拡散を制御し、かつ高活性な接合形成ができたので報告する。