2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-E304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年9月18日(水) 13:45 〜 16:15 E304 (E304)

池上 浩(九大)、羽深 等(横国大)

15:45 〜 16:00

[18p-E304-9] ホット-ダブルSi+/C+イオン注入法を用いた酸化膜中のSiC量子ドットの形成

〇金澤 力斗1、青木 孝1、鮫島 俊之2、水野 智久1 (1.神奈川大学理、2.東京農工大工)

キーワード：半導体、SiC、量子ドット