[18p-E310-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [18p-E310-5] 外部磁場印加効果を利用したTADF-OLED 特性の解析(II)

〇田中 正樹¹、永田 亮¹、中野谷 一¹、安達 千波矢¹ (1.九大OPERA)

キーワード：熱活性化遅延蛍光、外部磁場印加効果、劣化機構

TADF-OLEDの劣化による励起子挙動の変化を評価するために、OLED特性に対する外部磁場効果を用いた解析を行った。TADF-OLEDの磁場印加によるEL強度の変化（MEL）の強度は、輝度低下に伴って単調に増加する傾向となった。このことは輝度低下過程では三重項励起子の失活過程が大きく影響することを示唆している。また、劣化後では、発光層とその隣接層との界面での非効率な再結合・エネルギー移動過程が輝度低下に寄与していることが示唆された。