2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月18日(水) 13:15 〜 18:00 E311 (E311)

松野 丈夫(阪大)、服部 梓(阪大)

15:45 〜 16:00

[18p-E311-10] 六方晶窒化ホウ素上のVO2における抵抗跳躍の電極間距離依存性

玄地 真悟1、山本 真人1、神吉 輝夫1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.物材機構)

キーワード:金属-絶縁体相転移、抵抗跳躍、六方晶窒化ホウ素

二酸化バナジウム(VO2)は金属-絶縁体相転移を示し、我々は層状物質である六方晶窒化ホウ素上でVO2薄膜を成長させ、本研究ではその抵抗変化の電極間距離依存性を調べた。その結果、多くの抵抗の跳躍が転移温度近傍で見られ、抵抗跳躍はVO2の絶縁体状態と同じオーダーで観測された。さらに、電極間距離を数µmまで縮めると抵抗変化の最大値は増加した。この結果はµmスケールで急峻な抵抗変化素子の実現を大いに期待させる。