2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月18日(水) 13:15 〜 18:00 E311 (E311)

松野 丈夫(阪大)、服部 梓(阪大)

17:00 〜 17:15

[18p-E311-15] キャッピング層によるSrTiO3界面の電気伝導度制御

李 智蓮1、リップマー ミック1 (1.東大物性研)

キーワード:界面、SrTiO3、酸化物

In this work, we study the effect of the cap layer thickness on the transport behavior of La delta-doping layers embedded in SrTiO3. We aim to determine how the electron confinement is affected by the vicinity of the cap layer surface. We use transport and Hall analysis to probe the carrier depth distribution for thin cap layers and attempt to develop a capping regime that allows surface-sensitive electronic structure probes like ARPES and PEEM to be used while maintaining the metallic 2D carrier confinement.