2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月18日(水) 13:15 〜 18:00 E311 (E311)

松野 丈夫(阪大)、服部 梓(阪大)

13:30 〜 13:45

[18p-E311-2] PLD法による層状岩塩型LiVO2とスピネル型LiV2O4の選択的薄膜成長

矢島 達也1、相馬 拓人1、大友 明1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)

キーワード:パルスレーザ堆積法、層状岩塩型、スピネル型

層状岩塩型ABO2とスピネル型AB2O4は,酸素の立方最密格子を基本骨格とする本質的に類似した構造である.特にAサイトがLiの物質は二次電池材料として豊富に研究されているが,同じBカチオンを持ち両構造ともに単結晶が存在するのはLiVO2とLiV2O4のみである.一方Li含有量の制御が難しいため薄膜の合成例はどちらもない.我々は今回,パルスレーザ堆積法 (PLD) を用いて層状岩塩型LiVO2とスピネル型LiV2O4の選択的薄膜成長に成功したので報告する.