2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月18日(水) 13:15 〜 18:00 E311 (E311)

松野 丈夫(阪大)、服部 梓(阪大)

13:45 〜 14:00

[18p-E311-3] 固相エピタキシャル成長Ca2RuO4薄膜における電流依存金属絶縁体転移の観測

椿 啓司1、福地 厚1、片瀬 貴義2、神谷 利夫2、有田 正志1、高橋 庸夫1 (1.北大院情報、2.東工大フロ研)

キーワード:金属絶縁体転移、ルテニウム酸化物、固相エピタキシャル成長

ナローギャップモット絶縁体Ca2RuO4では近年、金属絶縁体転移が電流・電場によって電気的にも誘起可能な事が見出され注目を集めている。しかしCa2RuO4では、膜中のRu欠損の形成に起因して、薄膜での金属絶縁体転移の観測はこれまでに実現されていない。本研究では固相エピタキシャル成長法によりRu欠陥を低減したCa2RuO4薄膜の作製を試み、その結果、得られた単結晶性Ca2RuO4薄膜にて電流・電場に敏感な特異な金属絶縁体転移を観測する事に成功した。