[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18p-E311-6] EuNbO_3-xN_x 薄膜における負の磁気抵抗効果

〇丸山 敬裕¹、近松 彰¹、廣瀬 靖¹、片山 司¹、長谷川 哲也¹ (1.東大院理)

キーワード：酸窒化物、薄膜、磁気抵抗

Eu²⁺(4f ⁷)を含む酸化物は、その局在したスピンにより多彩な物性を示すことが知られている。EuNbO₂N は、－99％を超える巨大な負の磁気抵抗が報告されていたが、これまでは粉末焼結体のみの合成例のみであった。輸送・磁気特性の詳細な解明には、粒界散乱のない単結晶薄膜の作製が望まれる。そこで本研究ではEuNbO_3-xN_x 単結晶薄膜を作製し、その磁気抵抗効果について調べた。