[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18p-E311-8] エピタキシャル酸化物界面におけるスピン流の検出

〇(M2)寺林 真輝¹、関 真一郎^2,3、高木 里奈^2,3、中村 優男²、川﨑 雅司^2,3、石橋 幸治²、齋藤 智彦¹、松野 丈夫^2,4,5 (1.東理大理、2.理研 CEMS、3.東大工、4.阪大理、5.JSTさきがけ)

キーワード：スピン流、エピタキシャル酸化物界面

スピン流熱電変換ではYIG‐Ptの組み合わせを用いた研究が先行しているが、YIGが単結晶、Ptが多結晶であるため、その界面は乱雑である。スピン流が非磁性金属に注入される際、理想的な界面ではより高い注入効率が期待される。本研究では原子層レベルで平坦な界面を形成できるペロブスカイト型酸化物を用いて、エピタキシャル界面La₂NiMnO₆‐SrIrO₃を作製し、スピンポンピング法により理想的な界面におけるスピン流注入の検出に初めて成功した。