[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-E311-9] LaO/EuOヘテロエピタキシャル薄膜のスピンホール磁気抵抗

〇神永 健一¹、岡 大地²、岡 博文¹、福村 知昭^1,2,3,4 (1.東北大WPI-AIMR、2.東北大院理、3.東北大CSIS、4.東北大CSRN)

キーワード：スピントロニクス、希土類単酸化物、パルスレーザー堆積法

強磁性絶縁体とスピン軌道相互作用の大きい電極のヘテロ接合ではヘテロ界面において強磁性絶縁体から電極に注入されたスピン流を、スピンホール磁気抵抗（SMR）として検出できる。前回、我々は強磁性絶縁体であるEuOを下部層としたLaO/EuOヘテロエピタキシャル薄膜が作製できることを報告した。良好なヘテロ界面がSMRの検出に及ぼす影響を調べるために、今回、コヒーレンス長以下の膜厚のLaO薄膜を電極としてLaO/EuOのSMRを観測したので報告する。