[18p-E317-1~11] 9.1 誘電材料・誘電体

△ [18p-E317-3] 自立構造のスパッタエピタキシャルPbTiO₃薄片の共振特性と温度特性

〇松田 友佳^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JSTさきがけ)

キーワード：強誘電体、PZT、スパッタリング

PZT系のエピタキシャルスパッタ膜は、バルクのキュリー点を越える550 ℃でも圧電性を維持する，MPBが出現せずにTiの組成比の増加に伴い電気機械結合係数（k_t²）が一律に増加するといったバルクにはない特有の性質が報告されている．この違いの原因は基板拘束力の影響であるという説もあるが，数 μm以上の厚膜では緩和されていると考えられる．そこで本研究では，基板拘束力の影響を調べるために報告例の少ないエピタキシャル成長のPTOの自立薄膜を作製し，k_t²の算出および温度特性を測定した．