[18p-N302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-N302-1] Si concentration dependence of slow decay components in TR-PL from n-GaN epilayers

〇Masashi Kato^1,2, Takato Asada¹, Shuai Zhu¹, Kenji Ito³, Kazuyoshi Tomita³, Tetsuo Narita³, Tetsu Kachi² (1.NITech, 2.Nagoya Univ., 3.Toyota Central R&D Labs.)

Keywords:GaN, TR-PL

我々はn 型GaN エピ膜からの時間分解フォトルミネッセンス(TR-PL)信号に、遅い減衰成分が
存在することを報告してきた。また、それら遅い減衰成分のうち数百μs の時定数を有する成分
が、窒素サイト炭素(CN−)に起因する正孔トラップ（H1 トラップ）によるものであることを報告し
てきた。一方で、キャリア再結合現象には励起キャリアのみならず平衡状態でのキャリア濃度
が関わる。そのため、再結合現象に対するドナー不純物濃度依存性も理解することが、デバイス
設計においては重要である。そこで本研究では、TR-PLの遅い減衰成分に対するSi 濃度依存性を
観測した。