13:00 〜 13:15 [18p-N302-1] GaNエピ膜のTR-PL遅い減衰成分におけるSi濃度依存 〇加藤 正史1,2、浅田 貴斗1、朱 帥1、伊藤 健治3、冨田 一義3、成田 哲生3、加地 徹2 (1.名工大、2.名大、3.豊田中研)