[18p-N302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-N302-10] Threshold Voltage Shift of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Induced by Gamma-ray Irradiation and its Dependence on Measurement Pulse Width

〇Koki Tsurimoto¹, Masahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:GaN, HEMT, gamma-ray

GaN HEMTは宇宙空間や原子炉、加速器などの過酷な放射線環境下に適用可能な耐放射線デバイスとして期待されている。我々は、市販p-GaN/AlGaN/GaNノーマリオフHEMTについて、ガンマ線による特性変化とそのメカニズム解明を目指して研究を進めている。
今回は、ガンマ線照射によって生じるV_THシフトについてパルスI-V測定を用いて詳細な解析を行ったので報告する。