[18p-N302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-N302-9] Demonstration of acceptor formation in Mg-ion implanted GaN by high pressure annealing

〇Hideki Sakurai^1,2,3, Shinji Yamada^1,2,3, Akihiko Koura³, Masahiro Horita^1,2, Michal Bockowski^1,4, Jun Suda^1,2, Tetsu Kachi¹ (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.Nagoya Univ., 3.ULVAC ISET, 4.UNIPRESS)

Keywords:Nitride semiconductors, Mg-ion implantation, High pressure annealing

より高性能なGaNパワーデバイスを実現するために、任意領域への電界緩和構造や低コンタクト領域等を形成可能とするイオン注入技術は重要である。これまでに我々はGaN-on-GaN構造へのMgイオン注入と活性化処理に高圧アニールを適用した試料について低温CL評価やpn-diode特性評価を行い、p型化実証を報告してきた。今回これらの作製プロセスを経た試料についてホール効果測定素子を形成し、温度特性評価を行ったので報告する。本研究は文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」の委託を受けたものです。また研究の一部はthe Polish National Science Centre (NCN) のプロジェクトNo 2018/29/B/ST5/00338の助成を受けて行われたものです。