[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-N302-10] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧シフトとその測定パルス幅依存性

〇釣本 浩貴¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、ガンマ線

GaN HEMTは宇宙空間や原子炉、加速器などの過酷な放射線環境下に適用可能な耐放射線デバイスとして期待されている。我々は、市販p-GaN/AlGaN/GaNノーマリオフHEMTについて、ガンマ線による特性変化とそのメカニズム解明を目指して研究を進めている。
今回は、ガンマ線照射によって生じるV_THシフトについてパルスI-V測定を用いて詳細な解析を行ったので報告する。