[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-N302-14] Al₂O₃/AlGaN/GaN構造の界面制御とMOS-HEMT特性

〇越智 亮太¹、安藤 祐次¹、金木 奨太¹、橋詰 保¹ (1.北大量集センター)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、界面準位

GaN系HEMTはさらなる高周波化・高効率化が期待されている。GaN系HEMTはSiCやSiなどの異種基板上に作製されており、複雑なバッファ層や高い転位密度がデバイス性能を制約する要因となっている。ここでは、GaN系MIS-HEMTの種々の性能指標を知るために、自立基板上に成長したAlGaN/GaN構造にMOSダイオードとMOS-HEMTを作製し、界面特性とデバイス特性を評価した。