[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-N302-17] 2DHGダイヤモンドMOSFETsにおける高周波特性の現状;
出力電力密度P_out = 3.8 W/mm@1 GHz

〇(M1)久樂 顕¹、今西 祥一朗¹、堀川 清貴¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早稲田大学、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、高周波、FET

高周波出力電力は高電圧印加により向上する。本研究では高耐圧構造のダイヤモンドFETsを作製し、P_out = 3.8 W/mmを達成した。この値はp-FETにおいて最高の値である。また、さらなる高耐圧化のために絶縁膜を厚膜化及びL_GDを拡張し、ダイヤモンドで初となるV_DS = −70 Vにおける大信号特性の評価を行った。GaNに次ぐ、高周波・高出力デバイスの有望な材料としてダイヤモンドを提唱する。