[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-N302-5] 界面顕微光応答法によるN極性p形GaNショットキー電極の2次元評価

〇塩島 謙次¹、谷川 智之²、片山 竜二²、松岡 隆志³ (1.福井大院工、2.阪大院工、3.東北大NICHe)

キーワード：GaN、ショットキー接触、界面顕微光応答法

界面顕微光応答法によりN極性面上のNi電極のショットキー電極の不均一性を評価したので報告する。電極の所々に隆起した領域が観察された。光電流像では隆起した領域に対応したパターンが得られた。隆起領域では信号がほとんど検出されず、異常成長によりMgドーピングが不十分な高抵抗領域が形成されたと考えられる。