2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2019年9月18日(水) 13:00 〜 18:00 N302 (N302)

加藤 正史(名工大)、佐藤 威友(北大)

15:00 〜 15:15

[18p-N302-8] Mg recoil implantation into GaN with incident Nitrogen ion (4)

Toshikazu Yamada1、Hisashi YAMADA1、Tokio TAKAHASHI1、Mituaki SIMIZU1 (1.National Institute of Advanced Industrial Science & Technology)

キーワード:GaN, ion implantation, Mg