[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-N302-8] Mg recoil implantation into GaN with incident Nitrogen ion (4)

〇Toshikazu Yamada¹、Hisashi YAMADA¹、Tokio TAKAHASHI¹、Mituaki SIMIZU¹ (1.National Institute of Advanced Industrial Science & Technology)

キーワード：GaN, ion implantation, Mg