[18p-PA5-1~22] 6.4 Thin films and New materials

△ [18p-PA5-20] Thermoelectric characterization of heavily impurity doped epitaxial NiO(111) thin films grown by room temperature PLD.

〇Yoshiharu Shinozaki¹, Subaru Nakanishi¹, Satoru Kaneko^2,1, Yoshisato Kimura¹, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech. Materials, 2.KISTEC)

Keywords:thermoelectric, heavily impurity doping, NiO

高濃度不純物添加Ni_1−xM_xO(M:Li,Fe等, x≦0.6)エピタキシャル薄膜の作製と熱電特性について検討した。薄膜はPLD法によりα-Al₂O₃ (0001)基板に成膜した。Ni_0.5Li_0.5Oターゲットを用いて成膜した薄膜はXRDパターンによりNi_0.5Li_0.5O(111)配向膜が作成できたことを確認し、RHEEDにより面内異方性が見られたことからエピタキシャル成長を確認した。また、高温におけるゼーベック係数の増加に伴い、パワーファクターの向上が観察された。