[18p-PA5-1~22] 6.4 薄膜新材料

△ [18p-PA5-20] 室温PLDを用いた高濃度不純物添加NiO(111)薄膜の作製と熱電特性評価

〇篠崎 佳晴¹、中西 昴¹、金子 智^2,1、木村 好里¹、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

キーワード：熱電、高濃度不純物添加、酸化ニッケル

高濃度不純物添加Ni_1−xM_xO(M:Li,Fe等, x≦0.6)エピタキシャル薄膜の作製と熱電特性について検討した。薄膜はPLD法によりα-Al₂O₃ (0001)基板に成膜した。Ni_0.5Li_0.5Oターゲットを用いて成膜した薄膜はXRDパターンによりNi_0.5Li_0.5O(111)配向膜が作成できたことを確認し、RHEEDにより面内異方性が見られたことからエピタキシャル成長を確認した。また、高温におけるゼーベック係数の増加に伴い、パワーファクターの向上が観察された。