[18p-PA6-1~3] 9.5 新機能材料・新物性

[18p-PA6-2] 欠損導入した層状半導体(CeO)ZnAsの磁性

〇曽根 希萌¹、高瀬 浩一²、下村 大河¹、渡辺 忠孝²、高野 良紀² (1.日大理工大学院、2.日大)

キーワード：半導体

今回の実験では(CeO)ZnAsに注目する。Ceの原子配置は、4f¹5d¹6s²であり、この物質ではCeは+３価であると思われるので、Ce原子は１個の4f電子をもつ。また、希土類酸化物層はブロッキング層であるため、4f電子は局在し、この物質は常磁性半導体となっている。この物質に対してブロッキング層からの電子及びホール注入を酸素欠損とCeと酸素の同時欠損、さらに伝導層からのホール注入をZn欠損で行い、これら物質の磁性の変化を調査した。