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[18p-PB1-14] スピンバルブライク複合膜磁気構造による非磁性薄膜物性制御の挑戦
キーワード:スピンバルクライク構造、固相エピタキシャル成長
SVL複合膜構造による交換バイアスを利用し,磁場によるバンドギャップ制御、新規デバイス創製を目指した.薄膜作製にはスパッタ法を用い、固相エピタキシャル成長を行った。得られた薄膜は新規磁化挙動を示し、交換相互作用の影響が観察された.また反強磁性層のスピンの向きが膜面平行に整列し、その上の強磁性膜の一軸異方性,交換バイアス磁界、さらにTiO2のバンドギャップの変化が示唆された。