[18p-PB2-1~4] 13.3 絶縁膜技術

[18p-PB2-1] SiO₂，Si₃N₄膜へのH₂O分子の透過障壁の方位依存性

〇奥 友希¹、戸塚 正裕¹、佐々木 肇¹ (1.三菱電機)

キーワード：耐湿性、結晶方位、分子軌道計算

前報では、分子軌道計算により、SiO₂結晶の湿潤抵抗率は、クリストバライト、トリジマイト、石英およびコーサイトのギャップサイズによって説明し、Si₃N₄結晶よりも小さいことが示した。本報では、[1000]方向へのSi₃N₄の浸透障壁が[0001]のそれよりも高くなり得ることを示す。しかしながら、H₂O分子はSi₃N₄結晶表面から3番目の層で[1000]から[0001]に方向を変えるので、Si₃N₄の浸透障壁は数原子層内でのみ高エネルギーに維持されると考えられる。