[18p-PB3-1~2] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[18p-PB3-1] (ZnO)_1-x(InN)_xの結晶成長初期段階の第一原理計算による研究

〇(M2)古木 凌太¹、小田 将人¹、篠塚 雄三¹ (1.和大シス工)

キーワード：酸化亜鉛、第一原理計算、結晶成長

最近、(Ⅱ-Ⅵ)_1-x(Ⅲ-Ⅴ)_x混晶半導体として、酸化亜鉛と窒化インジウムの新規混晶半導体 (ZnO)1-x(InN)x (以下ZIONと称する) が九州大学のグループによって合成された。ZIONは擬2元混晶系で安定なWurzite構造を有し、組成比によってバンドギャップを制御可能なため、光デバイスや励起子を利用したエキシトントランジスタへの応用が期待されている。本研究では、ZIONの結晶成長の初期段階に関する知見を得ることを目的に、ZnO(0001)表面に対する、In及びN原子の吸着エネルギーが(0001)表面の極性にどのように依存するか、またZnO表面にInNがどのように取り込まれるかについて第一原理計算を用いて調べた。