[18p-PB3-1~2] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[18p-PB3-2] スパッタエピタキシー法によるAgドープZnS層の成長

〇土井 優太¹、水野 愛¹、安藤 毅¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：硫化亜鉛、スパッタ

我々は，超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，ZnS層のエピタキシャル成長を行っている．一般的にスパッタリング法で成長したZnS層は，六方晶系と立方晶系の結晶構造が混在してしまうが，成長時の基板温度を900℃以上の高温にすることで六方晶系構造が優先的になることが解った．今回は，ZnS/Agターゲットを用いてAgドープZnS層を成長し，高温領域における基板温度依存性について検討を行ったので，その結果について報告する