[18p-PB4-1~12] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [18p-PB4-5] Influence of Stress on the Stability of Metal Impurities in Si Crystal

〇(M1)Hiroya Iwashiro¹, Koji Sueoka², Kazuhisa Torigoe³, Toshiaki Ono³ (1.Graduate School of Okayama Pref. Univ., 2.Okayama Pref. Univ., 3.SUMCO CORPORATION)

Keywords:Stress, Metal, Si Crystal

結晶成長，ウェーハ製造，電子デバイス製造などの工程においてSi結晶には様々な応力が負荷され，その大きさはMPa～GPaオーダーに達している．このような応力下では不純物の形成エンタルピーが変化し，それに伴い熱平衡濃度も変化するため応力の影響はSi結晶の高品位化やデバイスの信頼性に影響する．本発表では第一原理計算を用い応力がSi結晶中の軽元素や金属不純物の形成エンタルピーに与える影響について基礎データを得た．