[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-14] スパッタリング法によるSi,Snを用いたGa₂O₃へのn型ドーピング

〇藤田 実樹¹、井上 洋輔²、長澤 凜太郎²、構 祐美子²、牧本 俊樹² (1.一関高専、2.早大理工)

キーワード：酸化ガリウム、スパッタリング、n型ドーピング

パワーデバイスや紫外線検出器などへの応用を目指し、将来の産業応用を見据えスパッタリング法を用いてGa₂O₃にn型ドーピングを試みた。Si, Sn をn型ドーパントとし、それぞれ1 ％（原子組成比）混入した2つのGa₂O₃ターゲットを用いてスパッタリングを行った。Siをドーパントとして用いた場合、成膜後のアニールを行うことで、伝導性が見られるようになった。