[18p-PB5-1~36] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-PB5-14] N-type Doping of Ga₂O₃ by Si, Sn Grown by Sputtering Method

〇Miki Fujita¹, Yousuke Inoue², Rinntaro Nagasawa², Yumiko Kamae², Toshiki Makimoto² (1.NIT, Ichinoseki College, 2.Waseda.Univ.)

Keywords:gallium oxide, sputtering, N-type doping

パワーデバイスや紫外線検出器などへの応用を目指し、将来の産業応用を見据えスパッタリング法を用いてGa₂O₃にn型ドーピングを試みた。Si, Sn をn型ドーパントとし、それぞれ1 ％（原子組成比）混入した2つのGa₂O₃ターゲットを用いてスパッタリングを行った。Siをドーパントとして用いた場合、成膜後のアニールを行うことで、伝導性が見られるようになった。