[18p-PB5-1~36] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-PB5-15] Analysis of α-Ga₂O₃ (0001) surface structure using first-principles calculations

〇Hayato Oyama¹, Takahiro Kawamura¹ (1.Mie Univ.)

Keywords:Ga2O3, surface, first-principles calculations

α型酸化ガリウム(α-Ga₂O₃)は, SiCとGaNよりも更に大きなバンドギャップを有する半導体であり，パワーデバイスに用いるとSiCとGaNを上回る高効率・低損失が期待できる．しかし，α-Ga₂O₃の結晶成長に関する実験は発展途上で，結晶成長のプロセスについて分かっていないことが多い．α-Ga₂O₃の結晶成長プロセス解明の一環として，本研究では第一原理計算を用いてa-Ga₂O₃(0001)面の表面構造解析を行い，GaとO原子の吸着について考察した．