[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-16] ロール・ツー・ロール方式によるGZO透明導電膜のプラズマ支援堆積 (2)

〇村中 司¹、土屋 雄平¹、青木 泰雅¹、小野島 紀夫¹、鍋谷 暢一¹、松本 俊¹、平木 哲²、木島 一広³、中村 卓³、阿部 治³、河野 裕³、萩原 茂³ (1.山梨大、2.中家製作所、3.山梨産技セ)

キーワード：酸化亜鉛、透明導電膜、ロール・ツー・ロール

II-VI族化合物半導体である酸化亜鉛(ZnO)は、3.37 eVと広いバンドギャップを持ち、可視光領域において透明である。また、キャリア密度が高いため、抵抗率が低く、電気伝導性に優れている。我々の研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積(PAMBD)法を用いて、ロール・ツー・ロール(Roll-to-roll, RTR)方式によって形成したGa添加ZnO(GZO)透明導電膜の作製と評価を行ってきた。今回の報告では、RTR方式によるGZO成膜プロセスの長時間安定性について検討した結果について報告を行う。