[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-17] ALD成長によるZnOの平坦薄膜成長条件の調査

〇山本 燎¹、加納 寛人²、中村 篤志¹、居波 渉¹ (1.静岡大院、2.静岡大工)

キーワード：原子層堆積法、ZnO薄膜