[18p-PB5-1~36] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-PB5-19] Electric and piezoelectric properties of highly-resistive ZnO films grown by noneequilibrium plasma generated near atmospheric pressure

〇Shuya Takarae¹, Daisuke Kiriya¹, Takeshi Yoshimura¹, Atushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹ (1.osakafu.Univ.)

Keywords:ZnO, piezoelectric

ZnOは、電子・光・圧電デバイス等への応用が期待されている。高い酸化力有する活性種を利用できる常圧非平衡プラズマプロセスはドナー性欠陥を減少できるため、大気圧非平衡酸窒素プラズマは高いプラズマ密度を有し、酸素を微量添加することで非常に酸化力の強いNO-γを用いたCVDプロセスが利用できることを明らかにしている。今回、常圧非平衡酸窒素プラズマを用い作成したZnO薄膜の電気特性と圧電特性の検討を行ったので報告する。