[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-19] 常圧非平衡プラズマを用いて作製した高抵抗ZnO薄膜の電気および圧電特性

〇宝栄 周弥¹、桐谷 乃輔¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大工)

キーワード：ZnO、圧電体

ZnOは、電子・光・圧電デバイス等への応用が期待されている。高い酸化力有する活性種を利用できる常圧非平衡プラズマプロセスはドナー性欠陥を減少できるため、大気圧非平衡酸窒素プラズマは高いプラズマ密度を有し、酸素を微量添加することで非常に酸化力の強いNO-γを用いたCVDプロセスが利用できることを明らかにしている。今回、常圧非平衡酸窒素プラズマを用い作成したZnO薄膜の電気特性と圧電特性の検討を行ったので報告する。