[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-20] Zn拡散によるGa添加ZnO膜のキャリア密度の制御

〇(D)杉浦 怜¹、山田 裕美加¹、淺野 裕稀¹、舩木 修平¹、山田 容士¹ (1.島根大総理工)

キーワード：酸化亜鉛、アニール